IXFH6N120中文资料PDF规格书
IXFH6N120规格书详情
High Voltage HiPerFET Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Features
• International standard packages
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXFH6N120
- 功能描述：
MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
54000 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
IXYS |
24+ |
TO-247AD(IXFH) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
TO-247 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
询价 | |||
IXYS |
2020+ |
TO-3P |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
4500 |
全新原装正品现货只做原装假一罚百 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
TO-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
询价 | |||
LITTELFUSE |
23+ |
TO-247AD |
30 |
只做原装 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2021+ |
TO-247 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
原装 |
1923+ |
TO-247 |
8900 |
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询 |
询价 |
