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MMUN2230L	文件：105.42 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 1 k, R2 = 1 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2230L	文件：134.23 Kbytes Page：11 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2230LT1	文件：146.66 Kbytes Page：10 Pages	Bias Resistor Transistor NPNSiliconSurfaceMountTransistor withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2230LT1	文件：175.58 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR NPNSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistin	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMUN2230LT1G	文件：144.37 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhn DigitalTransistors(BRT)R1=1kΩ,R2=1kΩ NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamonolithic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
MMUN2230L
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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