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MMUN2217L	文件：63.85 Kbytes Page：5 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：63.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2217L	文件：104.99 Kbytes Page：5 Pages	Digital Transist 文件：104.99 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2217L_16	文件：63.85 Kbytes Page：5 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：63.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2217LT1G	文件：104.99 Kbytes Page：5 Pages	Digital Transist 文件：104.99 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2217LT1G	文件：63.85 Kbytes Page：5 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：63.85 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2217L	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT el • Simplifies Circuit Design\n• Reduces Component Count\n• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2217LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
35
R1 (kΩ)：
4.7
R2 (kΩ)：
10
R1/R2 Typ：
0.47
Vi(off) Max (V)：
0.3
Vi(on) Min (V)：
2.5
Package Type：
SOT-23-3

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