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MMUN2132LT1G	文件：145.52 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k 文件：145.52 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2132LT1G	文件：108.62 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：108.62 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2132LT1G	文件：148.94 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 kA 文件：148.94 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2132L	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP 双极数字晶体管 (BRT) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT el • Simplifies Circuit Design\n• Reduces Board Space\n• Reduces Component Count\n• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2132LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MMUN2132
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTA143EK,FN1L3M,RN2401,UN211L,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>35
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
PNP
IC Continuous (A)：
0.1
V(BR)CEO Min (V)：
50
hFE Min：
15
R1 (kΩ)：
4.7
R2 (kΩ)：
4.7
R1/R2 Typ：
1
Vi(off) Max (V)：
0.5
Vi(on) Min (V)：
3
Package Type：
SOT-23-3

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