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MMUN2114LT1	文件：188.18 Kbytes Page：12 Pages	PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR 文件：188.18 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2114LT1G	文件：148.04 Kbytes Page：12 Pages	PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：148.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2114LT1G	文件：147.21 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k 文件：147.21 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2114LT1G	文件：184.02 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：184.02 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2114LT3G	文件：147.21 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 47 k 文件：147.21 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2114LT3G	文件：184.02 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) 文件：184.02 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2114LT3G	文件：148.04 Kbytes Page：12 Pages	PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：148.04 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2114L	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP 双极数字晶体管 (BRT) This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT el • Simplifies Circuit Design\n• Reduces Board Space\n• Reduces Component Count\n• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable\n• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMUN2114LT3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bias Resistor Transistors PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkThis new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting o	LRC 乐山无线电	LRC
MMUN2114LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MMUN2114
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
UN2114,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
β>80
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.4

技术参数

R1(KΩ)：
10
R2(KΩ)：
47
VO(V)：
50
IO(A)：
-0.1
PD(W)：
0.2
IO(OFF)(uA)：
-0.5
IO(OFF)(V)：
-50
VO(ON)(V)：
-0.25
VO(ON)IO(mA)：
-10
VO(ON)II(mA)：
-0.3
G1：
>80
G1VO(V)：
-10
G1IO(mA)：
-5
PackageOutline：
SOT-23
Arrays：
BEC

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