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PBSS5260PAP	文件：254.32 Kbytes Page：17 Pages	60V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	ETC	ETC
PBSS5260PAP	文件：751.55 Kbytes Page：17 Pages	60V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4260PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4260PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260PAP-Q	文件：311.26 Kbytes Page：17 Pages	60V,2APNP/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Highefficiencyduetolessheatgeneration •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260PAPS	文件：742.34 Kbytes Page：17 Pages	60V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)doubletransistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260PAPS-Q	文件：286.77 Kbytes Page：14 Pages	60V,2ANPN/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260QA	文件：252.04 Kbytes Page：17 Pages	60V,1.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor	ETC	ETC
PBSS5260QA	文件：732.1 Kbytes Page：17 Pages	60V,1.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4260QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMLL5260B	文件：37.87 Kbytes Page：7 Pages	Voltageregulatordiodes Low-powervoltageregulatordiodesinsmallhermeticallysealedglassSOD80CSMDpackages.Theseriesconsistsof43typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.0to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.500mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.0to75V	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
SC5260	文件：137.77 Kbytes Page：8 Pages	REMOTECONTROLENCODER DESCRIPTION TheSC5260isaremotecontrolencoderpairedwitheitherSC5260orSC5272utilizingCOMSTechnology.ItencodesdataandaddresspinsintoaserialcodedwaveformsuitableforRFmodulation.SC5260hasamaximumof10bitstri-stateaddresspinsprovidingupto59,049(or310)addr	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SL5260	文件：82.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES,500mW,MINIMELFPACKAGE SILICONPLANARZENERDIODES,500mW,MINIMELFPACKAGE	Surge Surge Components	Surge

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详细参数

型号：
MMSZ5260C
功能描述：
稳压二极管 43 Volt 0.5W 2%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	MMSZ5260C-E3-08	VISHAY/威世	2447	SOD123	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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