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MMSZ5230C	文件：252.72 Kbytes Page：2 Pages	ZENER DIODE Features ·LowZenerImpedance ·PowerDissipationof500mW ·HighStabilityandHighReliability	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
MMSZ5230C	文件：1.38253 Mbytes Page：5 Pages	ZENER DIODE	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MMSZ5230C	文件：1.75257 Mbytes Page：3 Pages	Zener Diodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMSZ5230CSW	文件：239.47 Kbytes Page：5 Pages	200mW SOD-323 SURFACE MOUNT Small Outline Flat Lead Plastic Package Zener Voltage Regulators	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
MMSZ5230CW	文件：233.43 Kbytes Page：5 Pages	500mW SOD-123 SURFACE MOUNT Flat Lead Surface Mount Plastic Package Zener Voltage Regulators	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
MMSZ5230C-E3-18	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOD-123 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MMSZ5230C-G3-08	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOD-123 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MMSZ5230C-G3-18	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOD-123 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MMSZ5230SPT	文件：143.77 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANARPOWERZENERDIODES	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
MMSZ5230-TP	文件：250.19 Kbytes Page：5 Pages	500mWZenerDiodes2.4to39Volts Features LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) PlanarDieconstruction ZenerVoltagesfrom2.4V-39Vand500mWPowerDissipation IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMSZ5230-V-G	文件：80.08 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalZenerDiodes SmallSignalZenerDiodes FEATURES •SiliconplanarpowerZenerdiodes •StandardZenervoltagetoleranceis±5witha“B”suffix(e.g.:MMSZ5225B-V-G),suffix“C”is±2tolerance •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/E	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MMXZ5230B	文件：410.67 Kbytes Page：4 Pages	200mWZenerDiodes2.4to39Volts Features ●PlanarDieconstruction ●200mWPowerDissipation ●ZenerVoltagesfrom2.4V-39V ●IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses MechanicalData ●Case:SOD-323MoldedPlastic ●Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ●Approx.Weight:0.008gram ●MountingPositi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMXZ5230B	文件：375.53 Kbytes Page：5 Pages	200mWZenerDiodes2.7to39Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMXZ5230C	文件：376.77 Kbytes Page：4 Pages	200mWZenerDiode4.3to51Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MSK5230	文件：732.61 Kbytes Page：6 Pages	HIGHCURRENT,LOWDROPOUTSURFACEMOUNTVOLTAGEREGULATORS	ANARENanaren 安伦	ANAREN
MTSZ5230BW	文件：478.43 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MTSZ5230BW	文件：478.43 Kbytes Page：4 Pages	500mW,SOD-123LHSurfaceMountZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MTSZ5230BWS	文件：256.709 Kbytes Page：4 Pages	200mW,SOD-323LSurfaceMountZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MTSZ5230CWS	文件：559.13 Kbytes Page：4 Pages	200mW,SOD-323LSurfaceMountZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MUN5230	文件：179.93 Kbytes Page：10 Pages	DualBiasResistorTransistors DualBiasResistorTransistors NPNSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistingoftworesistors;aseriesbaseresistorandabase−emitterresistor.Thesedigital	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MMSZ5230C
功能描述：
稳压二极管 4.7 Volt 0.5W 2%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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