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PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammability ClassificatioRating94-0andMSLRating1 •Marking:Y2 •Capableof0.625Watts(Tamb=25°C)ofPowerDissipation. •Collector-current1.5A •Collector-baseVoltage40V •Op | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | MCC | ||
PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | MCC | ||
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EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(HIGHCURRENT) HIGHCURRENTAPPLICATION. FEATURE •ComplementarytoMPS8050. | KECKEC CORPORATION KEC株式会社 | KEC | ||
EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR | KECKEC CORPORATION KEC株式会社 | KEC | ||
EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(HIGHCURRENT) HIGHCURRENTAPPLICATION. FEATURE •ComplementarytoMPS8050S. | KECKEC CORPORATION KEC株式会社 | KEC | ||
EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR HIGHCURRENTAPPLICATION. FEATURE •ComplementarytoMPS8050SC. | KECKEC CORPORATION KEC株式会社 | KEC | ||
InfraredLEDChip | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团 | KODENSHI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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