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MMSD301T1	文件：94.84 Kbytes Page：6 Pages	SOD-123 Schottky Barrier Diodes SOD-123 Schottky Barrier Diodes The MMSD301T1, and MMSD701T1 devices are spin–offs of our popular MMBD301LT1, and MMBD701LT1 SOT–23 devices. They are designed for high–efficiency UHF and VHF detector applications. Readily available to many other fast switching RF and digital applications. • Extr 文件：94.84 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMSD301-T1	文件：50.74 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Very Low Capacitance Low Reverse Leakage PN Junction Guard Ring for Transient and ESD Protection For General Purpose Switching Applications Plastic Material – UL Recognition Flammability Classification 94V-0 文件：50.74 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
MMSD301T1G	文件：217.57 Kbytes Page：6 Pages	SOD-123 Schottky Barrier Diodes The MMSD301T1, and MMSD701T1 devices are spin−offs of our popular MMBD301LT1, and MMBD701LT1 SOT−23 devices. They are designed for high−efficiency UHF and VHF detector applications. Readily available to many other fast switching RF and digital applications. Features • Extremely Low Minority 文件：217.57 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMSD301T1G_V01	文件：217.57 Kbytes Page：6 Pages	SOD-123 Schottky Barrier Diodes The MMSD301T1, and MMSD701T1 devices are spin−offs of our popular MMBD301LT1, and MMBD701LT1 SOT−23 devices. They are designed for high−efficiency UHF and VHF detector applications. Readily available to many other fast switching RF and digital applications. Features • Extremely Low Minority 文件：217.57 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMSD301_17	文件：358.7 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diodes 文件：358.7 Kbytes 页数：5 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMSD301T1	文件：54.01 Kbytes Page：8 Pages	SOD-123 Schottky Barrier Diodes 文件：54.01 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMSD301T1	文件：132.12 Kbytes Page：5 Pages	SOD-123 Schottky Barrier Diodes 文件：132.12 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMSD301T1G	文件：132.12 Kbytes Page：5 Pages	SOD-123 Schottky Barrier Diodes 文件：132.12 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMSD301T1G	文件：143.68 Kbytes Page：5 Pages	SOD-123 Schottky Barrier Diodes 文件：143.68 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMSD301T1G_11	文件：143.68 Kbytes Page：5 Pages	SOD-123 Schottky Barrier Diodes 文件：143.68 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Type：
RF-SBD
Configuration：
Single
VR Min (V)：
30
VF Max (V)：
0.6
IR Max (µA)：
0.2
IF Max (A)：
0.2
Cj (pF)：
1.5
Package Type：
SOD-123

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