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PE3906LF	文件：276.45 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYRG214/UBNCMALETOBNCMALE(LEADFREE)	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE3906LF	文件：276.45 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYRG214/UBNCMALETOBNCMALE(LEADFREE) CABLEASSEMBLY,RG214/U,BNCMALETOBNCMALE(LEADFREE)	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PMBS3906	文件：46.9 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PMBS3904. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification,e.g. telephonyandprofessionalcommunicationequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMBS3906	文件：189.77 Kbytes Page：10 Pages	40V,100mAPNPgeneral-purposetransistor 1.Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. NPNcomplement:PMBS3904 2.Featuresandbenefits •100mAcollectorcurrentcapability 3.Applications •General-purposeswitchingandamplification	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT3906	文件：46.85 Kbytes Page：8 Pages	PNPswitchingtransistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PMBT3904. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Telephonyandprofessionalcommunicationequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMBT3906	文件：658.61 Kbytes Page：11 Pages	PNPswitchingtransistor Featuresandbenefits Collector-emittervoltageVCEO=−40V CollectorcurrentcapabilityIC=−200mA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT3906M	文件：207.04 Kbytes Page：12 Pages	40V,200mAPNPswitchingtransistor 1.1Generaldescription PNPsingleswitchingtransistorinaSOT883(SC-101)leadlessultrasmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PMBT3904M. 1.2Features nSinglegeneral-purposeswitchingtransistor nBoard-spacereduction nAEC-Q101qualified nUltrasmallS	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT3906MB	文件：254.17 Kbytes Page：11 Pages	40V,200mAPNPswitchingtransistor Generaldescription PNPsingleswitchingtransistorinaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PMBT3904MB. Featuresandbenefits •Singlegeneral-purposeswitchingtransistor •AEC-Q101qualified •UltrasmallSMDplasticpack	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT3906VS	文件：229.85 Kbytes Page：10 Pages	40V,200mAPNP/PNPswitchingtransistor 1.Generaldescription PNP/PNPdoubleswitchingtransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PMBT3904VS NPN/PNPcomplement:PMBT3946VPN 2.Featuresandbenefits •Doublegeneral-purposeswitchingtransistor •Board-spac	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMBT3906YS	文件：212.56 Kbytes Page：13 Pages	40V,200mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor 1.1Generaldescription PNP/PNPgeneral-purposedoubletransistorinaSOT363(SC-88)verysmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 1.2Features nGeneral-purposedoubletransistor nBoard-spacereduction nAEC-Q101qualified 1.3Applications nGeneral-purposeswitchingandampl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
MMPQ3906_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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