PMBT3906M分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PMBT3906M |
| 参数属性 | PMBT3906M 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN |
| 功能描述 | 40 V, 200 mA PNP switching transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT883 / 3-XFDFN |
| 文件大小 |
207.04 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-18 9:48:00 |
| 人工找货 | PMBT3906M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PMBT3906M规格书详情
1.1 General description
PNP single switching transistor in a SOT883 (SC-101) leadless ultra small
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PMBT3904M.
1.2 Features
n Single general-purpose switching transistor
n Board-space reduction
n AEC-Q101 qualified
n Ultra small SMD plastic package
1.3 Applications
n General-purpose switching and amplification
产品属性
- 产品编号：
PMBT3906MB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
- 频率 - 跃迁：
250MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
SOT883 |
50000 |
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