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PMBT3906MB分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PMBT3906MB |
参数属性 | PMBT3906MB 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN |
功能描述 | 40 V, 200 mA PNP switching transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | DFN1006B-3 / 3-XFDFN |
文件大小 |
254.17 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-5 9:03:00 |
人工找货 | PMBT3906MB价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PMBT3906MB规格书详情
General description
PNP single switching transistor in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PMBT3904MB.
Features and benefits
• Single general-purpose switching transistor
• AEC-Q101 qualified
• Ultra small SMD plastic package
• Board-space reduction
• Low package height of 0.37 mm
Applications
• General-purpose switching and amplification
• Mobile applications
产品属性
- 产品编号:
PMBT3906MB,315
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
400mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 10mA,1V
- 频率 - 跃迁:
250MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-XFDFN
- 供应商器件封装:
DFN1006B-3
- 描述:
TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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