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MMIX1Y25N250CV1

SMPD封装标准IGBT

• 超低紧凑型封装形式\n• 可通过标准回流工艺进行表面安装\n• 封装重量轻\n• 高达4500V陶瓷隔离(DCB)\n• 较低的封装电感\n• 卓越的热性能\n• 高功率循环能力;

Littelfuse

力特

MMIX1Y25N250CV1

High Voltage XPT IGBT w/ Diode

文件:254.04 Kbytes 页数:8 Pages

IXYS

艾赛斯

MMK15684K250B10L4BULK

DIP

KEMETKEMET Corporation

基美

上传:深圳市和悦电子贸易有限公司

MMK27.5565K400F16L4TRAY

DIP

KEMET/基美

MMK27.5565K400F18L4TRAY

DIP

KEMET/基美

技术参数

  • Collector Current @ 25 ℃ (A):

    36

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

    4

  • Fall Time [Inductive Load] (ns):

    246

  • Configuration:

    Copack (FRED)

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W):

    0.65

  • Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ):

    10.5

  • Collector Current @ 110 ℃ (A):

    18

  • Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W):

    0.86

  • Forward Current @ 110 ℃ (A):

    14

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更多MMIX1Y25N250CV1供应商 更新时间2025-12-5 17:56:00