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MMFT107T1 | MEDIUM POWER TMOS FET 250 mA, 200 VOLTS Medium Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS SOT–223 for Surface Mount This TMOS medium power field effect transistor is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, dc–dc converters, solenoid and relay drivers 文件:118.11 Kbytes 页数:6 Pages | MOTOROLA 摩托罗拉 | MOTOROLA | |
MMFT107T1 | Power MOSFET 250 mA, 200 Volts 文件:78.63 Kbytes 页数:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
MMFT107T1 | MEDIUM POWER TMOS FET 250 mA, 200 VOLTS | 恩XP | 恩XP | |
MMFT107T1 | Power MOSFET 250 mA, 200 Volts | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
Power MOSFET 250 mA, 200 Volts 文件:78.63 Kbytes 页数:8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI |
详细参数
- 型号:
MMFT107T1
- 功能描述:
MOSFET N-CH 200V 250MA SOT223
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价MMFT107T1即刻询购立享优惠#长期有货 |
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ON/安森美 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
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ONSEMI/安森美 |
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SOT-23 |
5000 |
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25+ |
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