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MMFT107T1

MEDIUM POWER TMOS FET 250 mA, 200 VOLTS

Medium Power Field Effect Transistor N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate TMOS SOT–223 for Surface Mount This TMOS medium power field effect transistor is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, dc–dc converters, solenoid and relay drivers

文件:118.11 Kbytes 页数:6 Pages

MOTOROLA

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MMFT107T1

Power MOSFET 250 mA, 200 Volts

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安森美半导体

MMFT107T1

MEDIUM POWER TMOS FET 250 mA, 200 VOLTS

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MMFT107T1

Power MOSFET 250 mA, 200 Volts

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安森美半导体

MMFT107T1D

Power MOSFET 250 mA, 200 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    MMFT107T1

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 200V 250MA SOT223

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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