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MMFT107T1	文件：118.11 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUM POWER TMOS FET 250 mA, 200 VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–Mode SiliconGateTMOSSOT–223forSurfaceMount ThisTMOSmediumpowerfieldeffecttransistorisdesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,dc–dcconverters,solenoidandrelaydrivers	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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MMFT107T1

文件：118.11 Kbytes

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MEDIUM POWER TMOS FET 250 mA, 200 VOLTS

MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–Mode SiliconGateTMOSSOT–223forSurfaceMount ThisTMOSmediumpowerfieldeffecttransistorisdesignedforhighspeed,lowlosspowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,dc–dcconverters,solenoidandrelaydrivers

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

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Power MOSFET 250 mA, 200 Volts

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安森美半导体安森美半导体公司

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MMFT107T1D

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Power MOSFET 250 mA, 200 Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

详细参数

型号：
MMFT107T1
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 250MA SOT223
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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