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MMF60R360P	文件：1.15902 Mbytes Page：10 Pages	600V0.36(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R360P	文件：264 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF60R360PTH	文件：322.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF60R360PTH	文件：1.15902 Mbytes Page：10 Pages	600V0.36(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R360Q	文件：1.37821 Mbytes Page：10 Pages	600V0.36(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R360QTH	文件：1.37821 Mbytes Page：10 Pages	600V0.36(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R360QTH	文件：313.2 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF60R360RZ	文件：767.48 Kbytes Page：10 Pages	600V0.36ΩN-channelMOSFET Description MMF60R360RZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Thisdevicecombinesimprovementofswitching speedwitheffectiveswitchingbehavior.Anditalsowillprovidemuchhighefficiencybyusing	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R360RZTH	文件：767.48 Kbytes Page：10 Pages	600V0.36ΩN-channelMOSFET Description MMF60R360RZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Thisdevicecombinesimprovementofswitching speedwitheffectiveswitchingbehavior.Anditalsowillprovidemuchhighefficiencybyusing	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP60R360P	文件：1.16247 Mbytes Page：10 Pages	600V0.36(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP60R360PTH	文件：332.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMP60R360PTH	文件：1.16247 Mbytes Page：10 Pages	600V0.36(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
NCE60R360D	文件：1.03843 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE60R360D	文件：672.19 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE60R360K	文件：515.169 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFETll	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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