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MMDT9014	文件：1.79417 Mbytes Page：4 Pages	DUAL TRANSISTOR 文件：1.79417 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MMDT9014	文件：300 bytes Page：1 Pages	双晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
MMDT9014DW	文件：1.92853 Mbytes Page：3 Pages	丝印：TGL6；Package：SOT-363；Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available(MMDT9015 ) Ideal for Medium Power Amplification and Switching DW 文件：1.92853 Mbytes 页数：3 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
MMDT9014DW	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN小信号三极管	CBI 创基电子	CBI

技术参数

PCM(mW)：
100
IC(mA)：
50
VCBO(V)：
45
VCEO(V)：
5
VEBO(V)：
300
hFE MIN：
400
hFE MAX：
5
hFE@VCE(V)：
1
hFE@IC(mA)：
0.3
VCEsat(V)：
100
VCE@IC(mA)：
5
VCE@IB(mA)：
150
Package：
SOT-363

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