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MMST2222A	文件：214.14 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2907A)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMST2222A	文件：1.38763 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2907A)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMST2222A	文件：368.61 Kbytes Page：6 Pages	40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST2222A	文件：92.96 Kbytes Page：4 Pages	NPNMediumPowerTransistor(Switching) Features 1)BVCEO>40V(IC=10mA) 2)ComplementstheUMT2907A/SST2907A/MMST2907A/PN2907A.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST2222A	文件：135.93 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST2222A	文件：130.4 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) Features Powerdissipation PCM:0.2W(TA=25°C) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMST2222A	文件：1.69284 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2907A)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMST2222A-G	文件：118.69 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Features -Powerdissipation PCM:0.2W(TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.6A -Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,TSTG:-55°Cto+150°C	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMST2222A-G	文件：118.69 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMST2222A-TP	文件：82.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •PowerDissipation:0.2W •Ultra-smallsurfacemountpackage •Marking:K3P •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
MMDT2222V-TP
功能描述：
TRANSISTOR NPN DUAL 40V SOT563
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列
系列：
-
标准包装：
10,000
晶体管类型：
2 NPN（双）电流 -
集电极(Ic)（最大）：
100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
600mV @ 5mA，100mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
200 @ 2mA，5V 功率 -
最大：
250mW 频率 -
转换：
250MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：
PG-SOT363-6
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000747402

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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