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MMST2222A	文件：55.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>40V •IC=600mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMST2907A •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST2222A	文件：126.35 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORS Features -Powerdissipation PCM:0.2W(TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.6A -Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,TSTG:-55°Cto+150°C	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
MMST2222A	文件：160.49 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementstheMMST2907A. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST2222A	文件：617.07 Kbytes Page：2 Pages	SOT-323BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMST2222A	文件：143.93 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST2222A	文件：189.91 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST2222A	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	NPNMediumPowerTransistor(Switching)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST2222A	文件：84.07 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMST2222A	文件：82.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •PowerDissipation:0.2W •Ultra-smallsurfacemountpackage •Marking:K3P •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST2222A	文件：231.64 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
MMDT2222V-TP
功能描述：
TRANSISTOR NPN DUAL 40V SOT563
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列
系列：
-
标准包装：
10,000
晶体管类型：
2 NPN（双）电流 -
集电极(Ic)（最大）：
100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
600mV @ 5mA，100mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
200 @ 2mA，5V 功率 -
最大：
250mW 频率 -
转换：
250MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：
PG-SOT363-6
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000747402

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