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MMST2222A	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	NPNMediumPowerTransistor(Switching)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST2222A	文件：84.07 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST2222A	文件：82.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •PowerDissipation:0.2W •Ultra-smallsurfacemountpackage •Marking:K3P •Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST2222A	文件：231.64 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST2222A	文件：214.14 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2907A)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMST2222A	文件：1.38763 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementaryPNPTypeavailable(MMST2907A)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMST2222A	文件：368.61 Kbytes Page：6 Pages	40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST2222A	文件：92.96 Kbytes Page：4 Pages	NPNMediumPowerTransistor(Switching) Features 1)BVCEO>40V(IC=10mA) 2)ComplementstheUMT2907A/SST2907A/MMST2907A/PN2907A.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST2222A	文件：135.93 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST2222A	文件：130.4 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) Features Powerdissipation PCM:0.2W(TA=25°C) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

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详细参数

型号：
MMDT2222A-TP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 600mA 40V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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