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GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | Motorola | ||
NPN(GENERALPURPOSETRANSISTOR) GENERALPURPOSETRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=30V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW | SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体 | Samsung | ||
NPNGeneralPurposeTransistors NPNSiliconGeneralPurposeTransistors | WEITRON Weitron Technology | WEITRON | ||
NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistors | TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司 | TEL | ||
GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable* | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
GeneralPurposeTransistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TO-92Plastic-EncapsulateNPNTransistors | DAYADaya Electric Group Co., Ltd. 大亚电器集团大亚电器集团有限公司 | DAYA | ||
NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistors | CDIL Continental Device India Limited | CDIL | ||
TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●GeneralPurposeSwitchingandAmplification | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
TRANSISTOR(NPN) FEATURE Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃ | WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司 | WINNERJOIN |
详细参数
- 型号:
MMDT2222A-TP
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT 600mA 40V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Micro |
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SOT563 |
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