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MMDT2222A-TP	文件：166.85 Kbytes Page：5 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpitaxialDieConstruction •SmallSurfaceMountPackage •Marking:K1P •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Moi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT2222V	文件：69.41 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>40V •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMDT2907V •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Devic	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT2222V	文件：86.59 Kbytes Page：4 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT2222V	文件：588.37 Kbytes Page：6 Pages	40VDUALNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMPQ2222	文件：108.84 Kbytes Page：4 Pages	QuadGeneralPurposeTransistors QuadGeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMPQ2222	文件：113.81 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ2222A	文件：61.84 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMPQ2222A	文件：108.84 Kbytes Page：4 Pages	QuadGeneralPurposeTransistors QuadGeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMPQ2222A	文件：140.96 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONQUADTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMMPQ2222A,consistingoffourtransistorsandavailableintheSOIC-16surfacemountpackage,isdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MMPQ2222A	文件：88.62 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
MMDT2222A-TP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 600mA 40V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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