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5256-RC	文件：2.31952 Mbytes Page：2 Pages	HashChoke	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
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5256V	文件：311.85 Kbytes Page：25 Pages	In-SystemProgrammable3.3VSuperWIDE??HighDensityPLD	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
5256VA	文件：311.44 Kbytes Page：25 Pages	In-SystemProgrammable3.3VSuperWIDE??HighDensityPLD	LatticeLattice Semiconductor Corporation 莱迪思半导体	Lattice
ACZRV5256B-HF	文件：132.8 Kbytes Page：5 Pages	SMDZenerDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BD5256	文件：400.42 Kbytes Page：16 Pages	FreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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BD5256	文件：474.93 Kbytes Page：16 Pages	FreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries Description ROHM’sBD52□□G/FVEandBD53□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD5256	文件：410.75 Kbytes Page：16 Pages	FreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries Description ROHM’sBD52□□G/FVEandBD53□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD5256	文件：316.57 Kbytes Page：6 Pages	VoltageDetectorICAdjustableOutputDelay SiliconMonolithicIntegratedCircuit Featues 1.Detectionvoltagelineup:2.3~6.0V 2.Highprecisiondetectionvoltage:+-1.0.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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BD5256	文件：474.93 Kbytes Page：16 Pages	FreeDelayTimeSettingFreeDelayTimeSetting Description ROHM’sBD52□□G/FVEandBD53□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD5256	文件：400.42 Kbytes Page：16 Pages	FreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries Description ROHM’sBD52□□G/FVEandBD53□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD5256	文件：375.79 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEDETECTORIC Description BD52XXG/FVE,BD53XXG/FVEareseriesofhigh-accuracydetectionvoltageandlowcurrentconsumptionVOLTAGEDETECTORICsadoptingCMOSprocess. Newlineupof152typeswithdelaytimecircuithavedevelopedinadditiontowell-reputed152typesofVOLTAGEDETECTORICs.Anydelaytime	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD5256	文件：387.9 Kbytes Page：4 Pages	VOLTAGEDETECTORICwithadjustabledelaytime Description BD52XXG/FVE,BD53XXG/FVEareseriesofhigh-accuracydetectionvoltageandlowcurrentconsumptionVOLTAGEDETECTORICsadoptingCMOSprocess.Newlineupof152typeswithdelaytimecircuithavedevelopedinadditiontowell-reputed152typesofVOLTAGEDETECTORICs.Anydelaytime	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BD5256	文件：277.06 Kbytes Page：10 Pages	FreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD5256	文件：400.42 Kbytes Page：16 Pages	FreeDelayTimeSettingCMOSVoltageDetectorICSeries Description ROHM’sBD52□□G/FVEandBD53□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICserieswithabuilt-indelaycircuit.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
MMBZ5256B_Q
功能描述：
稳压二极管 30V 0.35W Zener
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯连胜科技有限公司	MMBZ5256B30V	长晶	2022	SOT-23	9000		询价
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更多MMBZ5256B_Q供应商更新时间2024-5-22 11:19:00

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