MMBZ30VCL Dual Channel ESD Protection

1 Features • Ultra Low I/O capacitance = 4.5pF (typical) • Low leakage current

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MMBZ30VCL-Q1 Dual Channel ESD Protection

1 Features • Ultra Low I/O capacitance = 4.5pF (typical) • Low leakage current

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MMBZ30VCL-Q1 Dual Channel ESD Protection

1 Features • Ultra Low I/O capacitance = 4.5pF (typical) • Low leakage current

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MMBZ30VCL Dual Channel ESD Protection

1 Features • Ultra Low I/O capacitance = 4.5pF (typical) • Low leakage current

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采用 SOT-23 封装、适用于汽车应用的双通道共阴极 ESD 保护

MMBZ30VCL-Q1 是一款采用共阴极配置的双通道单向或单通道双向 ESD。该器件具有低电容和低漏电流特性，可用于高速应用。低动态电阻允许低钳位电压，有助于保护系统免受瞬态事件的影响。这种保护很关键，因为汽车系统在控制安全设备时需要高度的稳健性和可靠性。\n\nMMBZ30VCL-Q1 采用 SOT-23 封装，可在节省空间的外形中提供可靠的双通道瞬态保护。 4.5pF（典型值）的超低 I/O 电容\n \n低漏电流 <25nA\n \n双通道单向 ESD 保护或单通道双向 ESD 保护\n \nIEC 61000-4-2 ESD 保护： \n \n±30kV 接触放电\n \n±30kV 气隙放电\n \n\n \nISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保护： \n \n±25kV 接触放电\n \n±30kV 气隙放电\n \n\n \n符合 AEC-Q101 标准\n \n温度范围：-55°C 至 +150°C\n \n引线式封装，用于自动光学检测 (AOI);

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