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MMBZ18VALT1G数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

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厂商型号

MMBZ18VALT1G

参数属性

MMBZ18VALT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;MMBZ18VALT1G应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 14.5VWM 25VC SOT23-3

功能描述

ESD/TVS 管

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

UMW Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

中文名称

友台半导体 广东友台半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    MMBZ18VALT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    14.5V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    17.1V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    25V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    1.6A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    40W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TVS DIODE 14.5VWM 25VC SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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