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MMBZ15VDLT1G数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

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厂商型号

MMBZ15VDLT1G

参数属性

MMBZ15VDLT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;MMBZ15VDLT1G应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC SOT23-3

功能描述

ESD / Surge Protector
TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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MMBZ15VDLT1G规格书详情

描述 Description

这些双路单片硅齐纳二极管适用于需要瞬变过电压保护功能的应用。此类器件适用于电压和 ESD 灵敏设备中,如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阴极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。

特性 Features

• SOT-23 Package Allows Either Two Separate UnidirectionalConfigurations or a Single Bidirectional Configuration
• Working Peak Reverse Voltage Range - 12.8 V, 22 V
• Standard Zener Breakdown Voltage Range - 15 V, 27 V
• Peak Power : 40 Watts @ 1.0 ms (Bidirectional)
• ESD Rating of Class N (exceeding 16 kV) per the Human Body Model
• Maximum Clamping Voltage @ Peak Pulse Current
• Low Leakage
• Flammability Rating UL 94V-OMechanical Characteristics:
• CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic case
• FINISH: Corrosion resistant finish, easily solderable
• MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:260°C for 10 Seconds
• Package designed for optimal automated board assembly
• Small package size for high density applications
• Available in 8 mm Tape and Reel
• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• SZ Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements

简介

MMBZ15VDLT1G属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的MMBZ15VDLT1GTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBZ15VDLT1G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pricing ($/Unit)

    :$0.0237

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • VZ Typ (V)

    :15

  • P Max (W)

    :0.225

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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