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MMBZ18VALT1G	文件：546.82 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Zeners for ESD Protection DESCRIPTION ThedualmonolithicsiliconZenerdiodesaredesignedforapplicationsrequiringtransientovervoltageprotectioncapability.TheyareintendedforuseinvoltageandESDsensitiveequipmentsuchascomputers,printers,businessmachines,communicationsystems,medicalequipmentando	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
MMBZ18VALT1G	文件：70.23 Kbytes Page：8 Pages	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBZ18VALT1G	文件：148.56 Kbytes Page：8 Pages	Zener Diodes, 24 and 40 Watt Peak Power	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBZ18VALT1G	文件：142.61 Kbytes Page：7 Pages	24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBZ18VALT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 14.5VWM 25VC SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBZ18VALT1G	文件：383.64 Kbytes Page：9 Pages	24and40WattPeakPowerZenerTransientVoltageSuppressors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBZ18VALT1	文件：70.23 Kbytes Page：8 Pages	24and40WattPeakPowerZenerTransientVoltageSuppressors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBZH18VALT1G	文件：135.85 Kbytes Page：7 Pages	ZenerDiodes,24and40WattPeakPowerSOT??3DualCommonAnodeZeners	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBZ18VALT1G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
14.5V
电压 - 击穿（最小值）：
17.1V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
25V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
1.6A
功率 - 峰值脉冲：
40W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TVS DIODE 14.5VWM 25VC SOT23-3

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