MMBTH10-7-F 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 DIODES/美台半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
MMBTH10-7-F
产品分类：
芯片
生产厂商：
DIODES(美台)
库存数量：
10000
产品封装：
SOT-23
生产批号：
25+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-20 10:05:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：MMBTH10-7-F品牌：DIODES(美台)

QQ询价绝对原装正品

MMBTH10-7-F是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商DIODES(美台)/Diodes Incorporated生产封装SOT-23/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBTH10-7-F晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MMBTH10-7-F
规格书：
下载下载2
企业简称：
DIODES【美台半导体】详情
厂商全称：
Diodes Incorporated
内容页数：
3 页
文件大小：
557.61 kb
资料说明：
NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR

产品属性

类型
描述
产品编号：
MMBTH10-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
650MHz
功率 - 最大值：
300mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供应商

企业：
深圳市美盛芯微电子有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
王先生
手机：
13144031211
询价：
电话：
13144031211
地址：
深圳市福田区华强北新亚洲一期2B005

MMBTH10-7-F 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 DIODES/美台半导体

MMBTH10-7-F

产品属性

供应商

相关型号

相近型号