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MMBTA06	文件：541.45 Kbytes Page：2 Pages	Single Bipolar Transistor Feature • For Switching and Amplifier Applications Description Single Bipolar Transistor, NPN, 0.5A, 80V, SOT 23 文件：541.45 Kbytes 页数：2 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
MMBTA06	文件：179.38 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial planar Transistor NPN Silicon Epitaxial planar Transistor For switching and amplifier applications. 文件：179.38 Kbytes 页数：2 Pages	Surge	Surge
MMBTA06	文件：256.579 Kbytes Page：4 Pages	Driver NPN Transistors Driver NPN TRANSISTOR P/b Lead(Pb)-Free 文件：256.579 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
MMBTA06	文件：143.13 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Transistor FEATURES Epitaxial planar die construction. Complementary PNP type available (MMBTA55/MMBTA56). Also available in lead free version. APPLICATIONS Ideal for medium power amplification and switching 文件：143.13 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMBTA06	文件：56.44 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal Transistors (NPN) FEATURES ♦ NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. ♦ As complementary type, the PNP transistor MMBTA56 is recommended. ♦ This transistor is also available in the TO-92 case with the type designation MPSA06. 文件：56.44 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
MMBTA06	文件：739.07 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ● For Switching and Amplifier Applications ● Complementary Type PNP Transistor MMBTA56 文件：739.07 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
MMBTA06	文件：2.19277 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● For Switching and Amplifier Applications ● Complementary Type PNP Transistor MMBTA56 文件：2.19277 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MMBTA06	文件：45.99 Kbytes Page：2 Pages	Driver Transistors Features ● Driver transistors. ● NPN silicon. 文件：45.99 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MMBTA06	文件：1.16973 Mbytes Page：5 Pages	NPN AND PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR VOLTAGE 60~80 Volts POWER 225 mWatts FEATURES • NPN and PNP silicon, planar design • Collector current IC = 100mA • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives 文件：1.16973 Mbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
MMBTA06	文件：474.59 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistor Features • NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. • As complementary type, the PNP tranistor MMBTA56 is recommended. • This transistor is also available in the TO-92 case with the type designation MPSA06. 文件：474.59 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

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晶体管资料

型号：
MMBTA06
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3DK30C,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
80
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBTA06
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3

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更多MMBTA06供应商更新时间2025-12-24 16:04:00

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