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MMBT6521LT1	文件：110 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistor NPN Silicon Amplifier Transistor NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available 文件：110 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6521LT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6521LT1G	文件：295.14 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistor Amplifier Transistor NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available 文件：295.14 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MMBT6521LT1G	文件：250.8 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistor 文件：250.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6521LT1G_16	文件：250.8 Kbytes Page：7 Pages	Amplifier Transistor 文件：250.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6521LT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT6521LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT6521LT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 2mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3

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更多MMBT6521LT1供应商更新时间2025-10-13 15:01:00

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