MMBT5771数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
MMBT5771 |
参数属性 | MMBT5771 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 15V 0.2A SOT23-3 |
功能描述 | PNP Switching Transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-14 23:01:00 |
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MMBT5771规格书详情
描述 Description
PNP开关晶体管 该器件设计用于集电极电流达到100 mA的超高速饱和开关。 采用工艺65设计。 如需相关特性,请参见PN4258。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
MMBT5771属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT5771晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MMBT5771
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: PNP Switching Transistor
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = 0.05 A
- IC Cont. (A)
:0.2
- VCEO Min (V)
:15
- VCBO (V)
:15
- VEBO (V)
:4.5
- VBE(sat) (V)
:Condition: IC = 0.05A
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:Condition: IC = 0.01 A
- hFE Max
:Condition: IC = 0.01 A
- fT Min (MHz)
:-
- PTM Max (W)
:0.225
- Package Type
:SOT-23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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