MMBT5770数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBT5770 |
| 参数属性 | MMBT5770 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN RF Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-14 23:01:00 |
| 人工找货 | MMBT5770价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBT5770规格书详情
简介
MMBT5770属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的MMBT5770晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
MMBT5770
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
- 频率 - 跃迁：
600MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 3mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
10mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
6307 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
54558 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
154739 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
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FAIRCHILD |
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SOT-23 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
只做原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
SOT-23 |
30000 |
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IR |
23+ |
NA |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT23 |
25000 |
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询价 |
