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MMBT5551M3数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MMBT5551M3

参数属性

MMBT5551M3 封装/外壳为SOT-723;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.06A SOT723

功能描述

高电压 NPN 双极晶体管
TRANS NPN 160V 0.06A SOT723

封装外壳

SOT-723

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 23:01:00

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MMBT5551M3规格书详情

描述 Description

The High Voltage NPN Bipolar Transistor is a spin-off of our popular SOT-23 three-leaded device. It is designed for general purpose switching applications and is housed in the SOT-723 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications where board space is at a premium.

简介

MMBT5551M3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT5551M3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBT5551M3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.2

  • IC Cont. (A)

    :0.06

  • VCEO Min (V)

    :160

  • VCBO (V)

    :180

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :1

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :80

  • hFE Max

    :250

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :0.64

  • Package Type

    :SOT-723-3

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