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MMBT5551-6AF数据手册FOSAN中文资料规格书

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厂商型号

MMBT5551-6AF

功能描述

NPN Transistor

制造商

FOSAN ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD

中文名称

富信半导体 安徽富信半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 20:18:00

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MMBT5551-6AF规格书详情

描述 Description

晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 150,耗散功率(Pd): 300mW

技术参数

  • 制造商编号

    :MMBT5551-6AF

  • 生产厂家

    :FOSAN

  • 集电极电流(Ic)

    :600mA

  • 集射极击穿电压(Vceo)

    :160V

  • 耗散功率(Pd)

    :225mW

  • 集射极饱和电压(VCE(sat))

    :0.2V

  • 直流电流增益(hFE)

    :100-300

  • 特征频率(fT)

    :100MHz

  • 工作温度

    :-55℃~+150℃

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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