MMBT5550数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBT5550 |
| 参数属性 | MMBT5550 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 |
| 功能描述 | MMBT5550: NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-14 23:01:00 |
| 人工找货 | MMBT5550价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBT5550规格书详情
描述 Description
MMBT5550
特性 Features
该器件专为通用高电压放大器和气体放电显示驱动器而设计。
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
MMBT5550属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MMBT5550晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBT5550
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： NPN Epitaxial Silicon Transistor
- Polarity
：
- Type
：
- VCE(sat) Max (V)
：
- IC Cont. (A)
：
- VCEO Min (V)
：
- hFE Min
：
- hFE Max
：
- fT Min (MHz)
：
- PTM Max (W)
：
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NS |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 | ||
FSC |
2016+ |
SMD |
3000 |
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询价 | ||
17PB |
SOT23 |
1 |
普通 |
询价 | |||
长电/长晶 |
2021 |
SOT-23 |
63000 |
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询价 | ||
FAI |
14+ |
SOT23 |
12000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
860000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
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