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MMBT5401M3中文资料150 V,60 mA,低饱和压,PNP 晶体管,SOT-723数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MMBT5401M3 |
参数属性 | MMBT5401M3 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 150V 0.06A SOT723 |
功能描述 | 150 V,60 mA,低饱和压,PNP 晶体管,SOT-723 |
封装外壳 | SOT-723 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-29 10:35:00 |
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MMBT5401M3规格书详情
描述 Description
The MMBT5401M3 device is a spin−off of our popular SOT−23 three−leaded device.It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT−723 surface mount package.This device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.
特性 Features
• SOT-723 Package: 1.2 x 1.2 mm
• PCB Space Savings, Power Density
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant
应用 Application
• High Side Load Switch
• Over-voltage Protection
• Gate Driving
• Automotive Electronic Control Unit
简介
MMBT5401M3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT5401M3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MMBT5401M3
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.6
- IC Cont. (A)
:0.06
- VCEO Min (V)
:150
- VCBO (V)
:160
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:1
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:60
- hFE Max
:240
- fT Min (MHz)
:100
- PTM Max (W)
:0.25
- Package Type
:SOT-723-3
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