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MMBT5401M3中文资料150 V,60 mA,低饱和压,PNP 晶体管,SOT-723数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMBT5401M3

参数属性

MMBT5401M3 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 150V 0.06A SOT723

功能描述

150 V,60 mA,低饱和压,PNP 晶体管,SOT-723
TRANS PNP 150V 0.06A SOT723

封装外壳

SOT-723

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 10:35:00

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MMBT5401M3规格书详情

描述 Description

The MMBT5401M3 device is a spin−off of our popular SOT−23 three−leaded device.It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT−723 surface mount package.This device is ideal for low−power surface mount applications where board space is at a premium.

特性 Features

• SOT-723 Package: 1.2 x 1.2 mm
• PCB Space Savings, Power Density
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant

应用 Application

• High Side Load Switch
• Over-voltage Protection
• Gate Driving
• Automotive Electronic Control Unit

简介

MMBT5401M3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT5401M3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBT5401M3

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.6

  • IC Cont. (A)

    :0.06

  • VCEO Min (V)

    :150

  • VCBO (V)

    :160

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :1

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :60

  • hFE Max

    :240

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.25

  • Package Type

    :SOT-723-3

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