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MMBT5401T	文件：949.64 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Highvoltage,complementaryPairwithMMBT5551T Applications Generalpurposehighvoltageamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT5401-TP	文件：68.87 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CollectorCurrent:ICM=0.6A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=160V •OperatingAndStorageTemperatures–55°Cto150°C •Capableof0.3WattsofPowerDissipation •Marking:2L •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT5401W	文件：232.16 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistor FEATURE •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •AlsoAvailableinLeadFreeVersion •ComplementarytoMMBT5551W	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT5401W	文件：73.21 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistor Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5401W	文件：1.14616 Mbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Highvoltage,complementaryPairwithMMBT5551W. Applications Generalpurposehighvoltageamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT5401W	文件：1.57253 Mbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT5401W	文件：246.96 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ComplementarytoMMBT5551W SmallSurfaceMountPackage IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMDT5401	文件：41.35 Kbytes Page：2 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT5551) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(No	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT5401	文件：81.4 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT5401	文件：116.19 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Marking:K4M •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Moi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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产品属性

产品编号：
MMBT5401-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 150V 0.6A SOT23-3

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