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MPS5179	文件：135.79 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHFREQUENCYTRANSISTOR FEATURES HIGHfT=900MHzMIN MAXCAPACITANCE=1pF LOWNOISE5dB APPLICATIONS CORDLESSTELEPHONES KEYLESSENTRYSYSTEMS WIDEBANDINSTRUMENTATIONAMPLIFIERS TELEMETRY WIRELESSLANS REMOTEMETERING TAGGING	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
MPS5179	文件：96.16 Kbytes Page：4 Pages	HighFrequencyTransistor(NPNSilicon) NPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS5179	文件：34.55 Kbytes Page：1 Pages	NPN(HIGHFREQUENCYTRANSISTOR) HIGHFREQUENCYTRANSISTOR	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS5179	文件：51.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNRFTransistor ThisdeviceisdesignedforuseinlownoiseUHF/VHFamplifierswithcollectorcurrentsinthe100µAto30mArangeincommonemitterorcommonbasemodeofoperation,andinlowfrequencydrift,highouputUHFoscillators.SourcedfromProcess40.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPS5179	文件：42.62 Kbytes Page：3 Pages	HighFrequencyTransistorNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
MMBT5179_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN RF Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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