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MMBT5179数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MMBT5179

参数属性

MMBT5179 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3

功能描述

NPN RF晶体管
RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-15 11:10:00

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MMBT5179规格书详情

描述 Description

NPN RF晶体管 该器件可以在共发射极或共基极模式的操作中用于集电极电流为100 mA至30 mA的低噪声UHF/VHF放大器,此外还可用于低频漂移和高输出UHF振荡器。 采用工艺40设计。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• UHF/VHF amplifiers
• UHF oscillators

简介

MMBT5179属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的MMBT5179晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMBT5179

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.05

  • VCEO(sus) Min (V)

    :12

  • hFE Min

    :25

  • hFE Max

    :250

  • PTM Max (W)

    :0.225

  • fT Min (MHz)

    :900

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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