MMBT5089中文资料NPN General Purpose Amplifier数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MMBT5089 |
| 参数属性 | MMBT5089 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN General Purpose Amplifier |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-29 12:35:00 |
| 人工找货 | MMBT5089价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBT5089规格书详情
描述 Description
该器件设计用于集电极电流从1µA到50 mA的低噪声、高增益、通用放大器应用。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
MMBT5089属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MMBT5089晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBT5089
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： NPN General Purpose Amplifier
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = 0.01A
- IC Cont. (A)
：0.1
- VCEO Min (V)
：25
- VCBO (V)
：30
- VEBO (V)
：4.5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：Condition: IC = 0.01 A
- hFE Min
：Condition: IC = 0.1mA
- hFE Max
：Condition: IC = 0.1mA
- fT Min (MHz)
：50
- PTM Max (W)
：0.35
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NS/美国国半 |
25+ |
SOT-23 |
54648 |
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17454 |
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