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MMBT5087L	文件：234.84 Kbytes Page：7 Pages	LowNoiseTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MP5087	文件：975.25 Kbytes Page：15 Pages	5.5V,7ALowRDSONLoadSwitchwithCurrentMonitoring	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5087A	文件：594.12 Kbytes Page：14 Pages	5.5V,7ALowRDSONLoadSwitchwithProgrammableCurrentLimit,PowerGood,andOutputDischargeFunction	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5087AGG	文件：594.12 Kbytes Page：14 Pages	5.5V,7ALowRDSONLoadSwitchwithProgrammableCurrentLimit,PowerGood,andOutputDischargeFunction	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5087GG	文件：975.25 Kbytes Page：15 Pages	5.5V,7ALowRDSONLoadSwitchwithCurrentMonitoring	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MV5087	文件：93.49 Kbytes Page：6 Pages	DTMFGENERATOR [GECPLESSEYSEMI] TheMV5087isfabricatedusingISO-CMOShighdensitytechnologyandofferslowpowerandwidevoltageoperation.Aninexpensive3.58MHzTVcrystalcompletesthereferenceoscillator.Fromthisfrequencyarederived8differentsinusoidalfrequencieswhich,whenappropriatel	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
NTE5087A	文件：52.32 Kbytes Page：4 Pages	NTE5061AthruNTE5105AZenerDiode,1Watt5Tolerance Features: •ZenerVoltage110Vto200V •LowCost •LowZenerImpedance •ExcellentClamping •EasilyCleanedwithFreon,Alcohol,Chlorothene,andSimilarSolvents	NTE NTE Electronics	NTE
SMBT5087	文件：253.13 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconTransistors PNPSiliconTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
SMBT5087	文件：68.35 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconTransistor PNPSiliconTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SZN5087	文件：171.71 Kbytes Page：3 Pages	6.8??400VOLTSZENERDIODES FEATURES: ■HermeticallySealedinGlass(AvailableinFritGlassseeSSDIdatasheet#Z00004) ■Ratedat3.0W ■AvailableinAxial,RoundTabSurfaceMount(SM)andSquareTabSurfaceMount(SMS)version ■AvailabletoTX,TXV,andSpaceLevels7/ ■ZenerVoltage,10,5,2or1Tolerance ■	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

详细参数

型号：
MMBT5087_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT5087_Q供应商更新时间2025-7-23 11:01:00

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