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MMDT4126	文件：41.15 Kbytes Page：2 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHigh	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT4126	文件：170.93 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT4124) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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MMST4126	文件：124.83 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMST4124) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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MMST4126	文件：41.59 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-25V •IC=-200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:MMST4124 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MPS4126	文件：38.35 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistor(PNPSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS4126	文件：73.73 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

详细参数

型号：
MMBT4126_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MMBT4126_Q供应商更新时间2025-7-23 16:01:00

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