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MMDT4124	文件：79.95 Kbytes Page：3 Pages	DUALNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT4126) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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MMST4124	文件：80.62 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMST4126) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST4124	文件：40.79 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>25V •IC=200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMST4126 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualified	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MPS4124	文件：57.14 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistor(NPNSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS4124	文件：71.75 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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详细参数

型号：
MMBT4124_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MMBT4124_Q供应商更新时间2025-5-28 17:00:00

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