MMBT3906T数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBT3906T |
| 参数属性 | MMBT3906T 封装/外壳为SC-89，SOT-490；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 0.2A SC89-3 |
| 功能描述 | PNP 双极晶体管 |
| 封装外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-15 17:02:00 |
| 人工找货 | MMBT3906T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBT3906T规格书详情
描述 Description
The PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-416/SC-75 package, which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
• Pb-Free Package is Available
简介
MMBT3906T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MMBT3906T晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBT3906T
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.4
- IC Cont. (A)
：0.2
- VCEO Min (V)
：40
- VCBO (V)
：40
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：0.95
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：100
- hFE Max
：300
- fT Min (MHz)
：250
- PTM Max (W)
：0.2
- Package Type
：SC-75-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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