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MMBT3906_NL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT3906-AU	文件：312.81 Kbytes Page：6 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-40V •CollectorcurrentIC=-200mA •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/95/ECdirectives. •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906BDW	文件：1.95167 Mbytes Page：14 Pages	40VMatchedPairPNPSmallSignalTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
MMBT3906-C	文件：2.50876 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT3906-CAR	文件：209.53 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHS requirementsandHalogenFree. ●-CARforautomotiveandotherapplicationsrequiringuniquesiteand controlchangerequirements;AEC-Q101qualifiedandPPAPcapable.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMBT3906DW	文件：800.29 Kbytes Page：3 Pages	DUALTRANSISTOR	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
MMBT3906DW	文件：420.67 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT3906DW	文件：982.22 Kbytes Page：4 Pages	S0OT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ®ldealforlowpoweramplificationandswitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMBT3906E	文件：195.76 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION PNPEpitaxialplanarSiliconTransistor FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904E) Ultra-SmallSurfaceMountPackage AlsoAvailableinLeadFreeVersion APPLICATION GeneralPurposeAmplifier,switching Forportablee	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT3906EF	文件：238.46 Kbytes Page：4 Pages	Smallsignalapplication Descriptions •Smallsignalapplication •Switchingapplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Lowcollectoroutputcapacitance •ComplementarypairwithMMBT3904EF	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

产品属性

产品编号：
MMBT3906_NL
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

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