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MMBT3906_13

PNP General Purpose Transistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

MMBT3906-13-F

Marking:K3N;Package:SOT-23;40V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●ComplementaryNPNType:MMBT3904 ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig

DIODES

Diodes Incorporated

MMBT3906-13

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司

DMMT3906_13

PNPSmallSignalTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MMDT3906_13

PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

MMDT3906_13

DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

MMST3906_13

PNPSmallSignalTransistors

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

PXT3906_13

PNPGeneralPurposeAmplifier

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT3906-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    250MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Diodes Incorporated
25+
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
9350
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DIODES/美台
22+
SOT23
90000
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DIODES/美台
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SMD
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DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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SOT-23-3
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DIODES/美台
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SOT23
50000
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DIODES/美台
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SOT-23-3
25000
原装正品公司现货,假一赔十!
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更多MMBT3906_13供应商 更新时间2025-5-23 14:47:00