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MMBT3904-Q	文件：213.15 Kbytes Page：10 Pages	Marking：7A；Package：SOT23；40 V, 200 mA NPN switching transistor 1.Generaldescription NPNswitchingtransistorinasmallSOT23(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:MMBT3906 2.Featuresandbenefits •CollectorcurrentcapabilityIC=200mA •Collector-emittervoltageVCEO=40V •QualifiedaccordingtoAEC-Q101and	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
MMBT3904-AU	文件：417.74 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=200mA •TransitionfrequencyfT>300MHz@IC=10mAdc,VCE=20Vdc,f=100MHz •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •LeadfreeincomplywithEURoHS2002/9	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3904BDW	文件：1.26493 Mbytes Page：9 Pages	40VMatchedPairNPNSmallSignalTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
MMBT3904-C	文件：2.9517 Mbytes Page：6 Pages	NPNPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT3904DW	文件：549.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeDoubleTransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT3904DW	文件：831.63 Kbytes Page：3 Pages	Epitaxialplanardieconstruction	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
MMBT3904DW	文件：944.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES eEpitaxialplanardieconstruction eIdealforlowpoweramplificationandswitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMBT3904EF	文件：260.899 Kbytes Page：4 Pages	Smallsignalapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
MMBT3904FA	文件：141.09 Kbytes Page：7 Pages	40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINDFN0806 Features •BVCEO>40V •IC=200mAhighCollectorCurrent •PD=435mWPowerDissipation •0.48mm2packagefootprint,16timessmallerthanSOT23 •0.4mmheightpackageminimizingoff-boardprofile •ComplementaryPNPTypeMMBT3906FA •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3904FW	文件：185.51 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT3906FW) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MMBT3904-QR	Nexperia USA Inc.	25+	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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