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MMBT2222ARFG	文件：214.29 Kbytes Page：3 Pages	300mW, NPN Small Signal Transistor FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT2222AS	文件：1.12483 Mbytes Page：9 Pages	40VNPNSmallSignalTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
MMBT2222AT	文件：57.97 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●BVCEO>40V ●IC=600mACollectorCurrent ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●ComplementaryPNPType:MMBT2907AT ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●Qualifi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2222AT	文件：99.18 Kbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateTransistorsNPNSilicon Plastic-EncapsulateTransistors NPNSilicon P/bLead-(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT2222AT	文件：172.64 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2222AT	文件：113.89 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof150mWattsofPowerDissipation •OperatingandStorageJunctionTemperatures-55ćto150ć •CollectorCurrent:0.6A	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222AT	文件：182.3 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907AT) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2222AT	文件：227.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222AT	文件：815.63 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907FW) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222AT	文件：142.45 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •Generalpurposeamplifiertransistor. •Ultra-SmallSurfaceMountPackageforalltypes. •Generalpurposeswitching&amplificationapplication	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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