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MMBT2222ATB	文件：90.22 Kbytes Page：3 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER225mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=600mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA Case:SOT-523,Plastic Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Meth	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT2222A-TP	文件：120.01 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222ATTD	文件：114.25 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2222AT-TP	文件：113.89 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof150mWattsofPowerDissipation •OperatingandStorageJunctionTemperatures-55ćto150ć •CollectorCurrent:0.6A	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222AU	文件：293.51 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMBT2907AU)	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMBT2222AW	文件：402.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors NPNGeneralPurposeAmplifiers P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT2222AW	文件：258.67 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2222AW	文件：1.36804 Mbytes Page：4 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURE ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907AW) EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222AW	文件：97.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER150mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=600mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT2222AW	文件：51.67 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor Features ●Generalpurposetransistor.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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