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MMBT2222AT	文件：172.64 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2222AT	文件：113.89 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof150mWattsofPowerDissipation •OperatingandStorageJunctionTemperatures-55ćto150ć •CollectorCurrent:0.6A	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222AT	文件：182.3 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907AT) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2222AT	文件：227.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222AT	文件：815.63 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907FW) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222AT	文件：142.45 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •Generalpurposeamplifiertransistor. •Ultra-SmallSurfaceMountPackageforalltypes. •Generalpurposeswitching&amplificationapplication	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2222AT	文件：184.63 Kbytes Page：4 Pages	NPNSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT2907AT). ●CollectorCurrentCapabilityIc=600mA. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2222AT	文件：475.72 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT2907AT	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT2222AT	文件：140.16 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT2222AT	文件：880.15 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto600mA. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

详细参数

型号：
MMBT2222A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Gen Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MMBT2222A_Q供应商更新时间2025-7-25 16:56:00

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