MMBT2222AQ-7-F规格书应用电路批发采购第3页-114ic电子网

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MMBT2222A	文件：262.16 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarMediumPowerTransistorforswitchingandamplifierapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2222A	文件：83.72 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistorLowcollector-emittersaturationvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMBT2222A	文件：284.61 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT2907A) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT2222A	文件：740.1 Kbytes Page：5 Pages	TRANSISTOR(NPN) PRODUCTSUMMARY SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(MMBT2907A)	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
MMBT2222A	文件：120.01 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT2222A	文件：140.19 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT2222A	文件：214.29 Kbytes Page：3 Pages	300mW,NPNSmallSignalTransistor FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT2222A	文件：288.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeapplication •Switchingapplication Features •LowLeakagecurrent •Lowcollectorsaturationvoltageenablinglowvoltageoperation •ComplementarypairwithMMBT2907A	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
MMBT2222A	文件：248.5 Kbytes Page：5 Pages	SOT-23BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMBT2222A	文件：55.11 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPType:MMBT2907A •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHigh	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
MMBT2222AQ-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

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